IRFIZ34NPBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRFIZ34NPBF

Infineon

TO-220FP N-CH 55V 21A

Наличие: 941 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 35.28

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC10242304

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRFIZ34NPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRFIZ34NPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC10242304
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальная Мощность	31 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.04 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	31 W
Пороговое Напряжение	4 V
Входная Ёмкость	700pF @25V
Напряжение Сток-исток (Vds)	55 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	21A
Время Нарастания	49 ns
Входная емкость (Ciss)	700pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	37 W
Время падения	40 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	37W (Tc)
Длина	10.75 mm
Ширина	4.83 mm
Высота	9.8 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRFIZ34NPBF описание продукта

The IRFIZ34NPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heat sink. This isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier. The package is mounted to a heat sink using a single clip or by a single screw fixing.
Advanced process technology
Isolated package
2.5kVRMS High voltage isolation
4.8mm Sink to lead creepage distance

Показывать

IRFIZ34NPBF Даташит PDF

9 страницы, 266 КБ

11/13/2003