IRFB4212PBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRFB4212PBF

Infineon

TO-220AB N-CH 100V 18A

Наличие: 41,896 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 87.01

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC9252653

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRFB4212PBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRFB4212PBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC9252653
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальная Мощность	60 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.0725 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	60 W
Пороговое Напряжение	5 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	100 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	18A
Время Нарастания	28 ns
Входная емкость (Ciss)	550pF @50V(Vds)
Максимальная входная мощность	60 W
Время падения	3.9 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	60W (Tc)
Длина	10.66 mm
Ширина	4.82 mm
Высота	9.02 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Not Recommended for New Designs
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRFB4212PBF описание продукта

The IRFB4212PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD and EMI. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction temperature and repetitive avalanche capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device. It can deliver up to 150W per channel into 4R load in half-bridge topology. It is suitable for full-bridge and push-pull application.
Low RDS (ON) for improved efficiency
Low Qg and Qsw for better THD and improved efficiency
Low QRR for better THD and lower EMI

Показывать

IRFB4212PBF Даташит PDF

8 страницы, 294 КБ

09/16/2005