IRF7342TRPBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRF7342TRPBF

Infineon

SOIC P-CH 55V 3.4A

Наличие: 4,323 шт.

Адрес доставки:

Цена: ₽ 47.03

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC774404

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRF7342TRPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRF7342TRPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC774404
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Номинальная Мощность	2 W
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.095 Ω
Полярность	P-CH
Рассеяние Мощности	2 W
Пороговое Напряжение	1 V
Входная Ёмкость	690 pF
Напряжение Сток-исток (Vds)	55 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	55 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	3.4A
Время Нарастания	15 ns
Входная емкость (Ciss)	690pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	2 W
Время падения	32 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2 W
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRF7342TRPBF описание продукта

The IRF7342TRPBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
Generation V technology
Ultra low ON-resistance
Surface-mount device
Dynamic dV/dt rating
Fast switching performance

Показывать

IRF7342TRPBF Даташит PDF

7 страницы, 159 КБ

10/07/2004