IRF530NSPBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRF530NSPBF

Infineon

D2PAK N-CH 100V 17A

Наличие: 1,260 шт.

Адрес доставки:

Цена: ₽ 89.36

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC11447682

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRF530NSPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRF530NSPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC11447682
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-263-3
Номинальная Мощность	3.8 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.09 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	79 W
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	100 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	17A
Время Нарастания	22 ns
Входная емкость (Ciss)	920pF @25V(Vds)
Время падения	25 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	3.8W (Ta), 70W (Tc)
Высота	4.83 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	Compliant with Exemption
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRF530NSPBF описание продукта

The IRF530NSPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. The surface-mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.
Advanced process technology
Ultra-low ON-resistance
Dynamic dV/dt rating
Fast switching
Fully avalanche rating

Показывать

IRF530NSPBF Даташит PDF

11 страницы, 280 КБ

03/11/2004