IRF3710SPBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRF3710SPBF

Infineon

D2PAK N-CH 100V 57A

Наличие: 1,010 шт.

Адрес доставки:

Цена: ₽ 105.83

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC10567882

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRF3710SPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRF3710SPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC10567882
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-263-3
Номинальная Мощность	200 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.023 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	200 W
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	100 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	57A
Время Нарастания	58 ns
Входная емкость (Ciss)	3130pF @25V(Vds)
Время падения	47 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	200W (Tc)
Длина	10.67 mm
Ширина	9.65 mm
Высота	4.83 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	Compliant with Exemption
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRF3710SPBF описание продукта

The IRF3710SPBF from International Rectifier is 100V single N channel HEXFET power MOSFET in D2-PAK package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
Drain to source voltage Vds is 100V
Gate to source voltage is ±20V
On resistance Rds(on) of 23mohm at Vgs of 10V
Power dissipation Pd of 200W at 25°C
Continuous drain current Id of 57A at Vgs 10V and 25°C
Junction temperature range from -55°C to 175°C

Показывать

IRF3710SPBF Даташит PDF

10 страницы, 304 КБ

11/12/2013