IR2302SPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IR2302SPBF

Infineon

MOSFET DRVR 600V 0.35A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC Tube

Наличие: 213 шт.

Адрес доставки:

Цена: ₽ 112.10

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC11847378

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IR2302SPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR2302SPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC11847378
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Напряжение Питания (DC)	5.00V (min)
Время Нарастания/Спада	130ns, 50ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	5.20 V
Выходной Ток	200 mA
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	625 mW
Время Нарастания	220 ns
Время падения	80 ns
Время падения (Макс)	80 ns
Время падения (Макс)	220 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	625 mW
Напряжение питания	5V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	5 V
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IR2302SPBF описание продукта

The IR2302SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Half-bridge Driver with dependent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output and down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive a N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
Tolerant to negative transient voltage DV/DT Immune
Under-voltage lockout for both channels
Cross-conduction prevention logic
Matched propagation delay for both channels
High side output in phase with IN input
Lower DI/DT gate driver for better noise immunity
Shut down input turns OFF both channels
3.3, 5 and 15V Input logic compatible

Показывать

IR2302SPBF Даташит PDF

22 страницы, 208 КБ

08/18/2004