IR21834SPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IR21834SPBF

Infineon

600V Half Bridge Driver IC with typical 1.9A source and 2.3A sink currents in 14 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 14 Lead SOIC, 8 Lead SOIC, and 8 Lead PDIP.

Наличие: 40 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 300.53

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC6411076

Категория продукта:

Драйвер FET

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.05.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

IR21834SPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR21834SPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC6411076
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	14 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-14
Напряжение Питания (DC)	10.0V (min)
Время Нарастания/Спада	40ns, 20ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	620 V
Выходной Ток	1.90 A
Количество Стежков	14 Position
Рассеяние Мощности	1000 mW
Время падения (Макс)	35 ns
Время падения (Макс)	60 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1000 mW
Напряжение питания	10V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	8.74 mm
Ширина	3.99 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Упаковка	Each
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

International Rectifier

941 шт.

0.00 ₽/шт.

IR21834SPBF описание продукта

The IR21834SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Half-bridge Driver with dependent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
Floating channel designed for bootstrap operation
Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
Under-voltage lockout for both channels
3.3 and 5V Input logic compatible
Matched propagation delay for both channels
Logic and power ground ±5V offset
Lower di/dt gate driver for better noise immunity
Output source/sink current capability 1.4/1.8A

Показывать

IR21834SPBF Даташит PDF

22 страницы, 288 КБ

04/05/2006