IR21531STRPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IR21531STRPBF

Infineon

MOSFET DRVR 600V 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC T/R

Наличие: 1,335 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 47.91

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC5155993

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IR21531STRPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR21531STRPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC5155993
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Напряжение Питания (DC)	10.0V (min)
Время Нарастания/Спада	80ns, 45ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	625 mW
Ток Покоя	950 µA
Время Нарастания	150 ns
Время падения	100 ns
Время падения (Макс)	100 ns
Время падения (Макс)	150 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	625 mW
Напряжение питания	10V ~ 15.6V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Рабочая Температура	-40℃ ~ 125℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Unknown
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IR21531STRPBF описание продукта

Benefits:
Integrated 600V Half-bridge gate driver
15.6V zener clamp on Vcc
True micropower start up
Tighter initial deadtime control
Low temperature coefficient deadtime
Shutdown feature (1/6th Vcc) on CT pin
Increased undervoltage lockout Hysteresis (1V)
Lower power level-shifting circuit
Constant LO, HO pulse widths at startup
Lower di/dt gate driver for better noise immunity
Low side output in phase with RT
Internal 50nsec (typ.) bootstrap diode (IR21531D)
Excellent latch immunity on all inputs and outputs
ESd protection on all leads
Also available LEAD-FREE

Показывать

IR21531STRPBF Даташит PDF

9 страницы, 218 КБ

09/21/2005