IR2136SPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IR2136SPBF

Infineon

MOSFET DRVR 600V 0.35A 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28Pin SOIC W Tube

Наличие: 95 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 277.50

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC5559830

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IR2136SPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR2136SPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC5559830
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	28 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-28
Напряжение Питания (DC)	10.0V (min)
Время Нарастания/Спада	125ns, 50ns
Количество Выходных Интерфейсов	6 Output
Выходное Напряжение	620 V
Выходной Ток	200 mA
Количество Стежков	28 Position
Рассеяние Мощности	1600 mW
Ток Покоя	1.6 mA
Время Нарастания	125 ns
Время падения	50 ns
Время падения (Макс)	75 ns
Время падения (Макс)	190 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1600 mW
Напряжение питания	10V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	18.1 mm
Ширина	7.6 mm
Высота	2.35 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IR2136SPBF описание продукта

The IR2136SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Bridge Driver with three independent high and low-side referenced output channels for 3-phase applications. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3V logic. A current trip function which terminates all six outputs can be derived from an external current sense resistor. An enable function is available to terminate all six outputs simultaneously. An open-drain FAULT signal is provided to indicate that an overcurrent or under-voltage shutdown has occurred. Overcurrent fault conditions are cleared automatically after a delay programmed externally via an RC network connected to the RCIN input. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channels can be used to drive N-channel power MOSFETs/IGBTs in the high-side configuration which operates up to 600V.
Floating channel designed for bootstrap operation
Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
Under-voltage lockout for all channels
Overcurrent shutdown turns OFF all six drivers
Independent 3 half-bridge drivers
Matched propagation delay for all channels
Cross-conduction prevention logic
High-side outputs out of phase
3.3V Logic compatible
Lower di/dt gate drive for better noise immunity
Externally programmable delay for automatic fault clear

Показывать

IR2136SPBF Даташит PDF

36 страницы, 892 КБ

07/08/2008