IR2111PBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IR2111PBF

Infineon

MOSFET DRVR 600V 0.5A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin PDIP

Наличие: 865 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 76.19

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC2758888

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 10.07.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IR2111PBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR2111PBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC2758888
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	PDIP-8
Рабочее Напряжение	10V ~ 20V
Номинальная Мощность	1 W
Время Нарастания/Спада	80ns, 40ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	600 V
Выходной Ток	250.500 mA
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	1000 mW
Ток Покоя	70 µA
Время Нарастания	80 ns
Время падения	40 ns
Время падения (Макс)	65 ns
Время падения (Макс)	130 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1000 mW
Напряжение питания	10V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	10.92 mm
Ширина	7.11 mm
Высота	5.33 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IR2111PBF описание продукта

The IR2111PBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with dependent high and low-side referenced output channels designed for half-bridge applications. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. Logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Internal dead-time is provided to avoid shoot-through in the output half-bridge. The floating channel can be used to drive a N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
Tolerant to negative transient voltage DV/DT Immune
Under-voltage lockout for both channels
CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
Matched propagation delay for both channels
Internally set dead-time
High side output in phase with input

Показывать

IR2111PBF Даташит PDF

15 страницы, 155 КБ

04/14/2004