IPB048N15N5ATMA1 Купить - Infineon

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IPB048N15N5ATMA1

Infineon

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Наличие: 39,363 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 499.89

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC77588893

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.05.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

IPB048N15N5ATMA1 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IPB048N15N5ATMA1
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC77588893
Жизненный Цикл Продукта	Active
Даташит
3D модель	3D модель
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-263-3
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.0037 Ω
Рассеяние Мощности	300 W
Пороговое Напряжение	3.8 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	150 V
Время Нарастания	5.3 ns
Входная емкость (Ciss)	6000pF @75V(Vds)
Время падения	37 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	300000 mW
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	Compliant with Exemption
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IPB048N15N5ATMA1 описание продукта

Description:
The new OptiMOS™ 5 150 V power MOSFETs from Infineon are particularly suitable for low voltage drives such as forklift and e-scooter, as well as telecom and solar applications. The new products offer a breakthrough reduction in R DS(on) (up to 25 percent compared to the next best alternative in SuperSO8) and Q rr without compromising FOM gd and FOM OSS, effectively reducing design effort whilst optimizing system efficiency. Furthermore, the ultra-low reverse recovery charge (Q rr = 26 nC in SuperSO8) increases commutation ruggedness.
Summary of Features:
Lower R DS(on) without compromising FOM gd and FOM oss
Lower output charge
Ultra-low reverse recovery charge
Increased commutation ruggedness
Higher switching frequency possible
Benefits:
Reduced paralleling
Size reduction enabled with SuperSO8 best-in-class
Higher power density designs
More rugged products
System cost reduction
Improved EMI behavior

Показывать

IPB048N15N5ATMA1 Даташит PDF

11 страницы, 1030 КБ

02/05/2016

просматривать

IPB048N15N5ATMA1 Справочное руководство пользователя

270 страницы, 11877 КБ

11/08/2017

просматривать

IPB048N15N5ATMA1 Другие Даташит

30 страницы, 664 КБ

просматривать

IPB048N15N5ATMA1 Примечание по применению

37 страницы, 2068 КБ

01/09/2017

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/05/01 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H0.90515LO57558V34Q0QC0S0