IKB15N60T Купить - Infineon Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IKB15N60T

Infineon

Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3Pin

Наличие: 929 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 255.55

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC81484210

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IKB15N60T характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IKB15N60T
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC81484210
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-263-3
Номинальная Мощность	130 W
Рассеяние Мощности	130 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	600 V
Обратное время восстановления	34 ns
Максимальная входная мощность	130 W
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	40 ℃
Длина	10.31 mm
Ширина	9.45 mm
Высота	4.57 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 175℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
	Показывать Просмотр аналоги замена

IKB15N60T описание продукта

Summary of Features:
Lowest V ce(sat) drop for lower conduction losses
Low switching losses
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V ce(sat)
Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
High ruggedness, temperature stable behavior
Low EMI emissions
Low gate charge
Very tight parameter distribution
Benefits:
Highest efficiency – low conduction and switching losses
Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design
High device reliability

Показывать

IKB15N60T Даташит PDF

13 страницы, 697 КБ

05/27/2015