IGW15N120H3 Купить - Infineon Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IGW15N120H3

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Наличие: 1,039 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 890.51

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC5658359

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IGW15N120H3 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IGW15N120H3
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC5658359
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальная Мощность	217 W
Количество Стежков	3 Position
Рассеяние Мощности	217 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	1200 V
Максимальная входная мощность	217 W
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	217 W
Длина	16.13 mm
Ширина	5.21 mm
Высота	21.1 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 175℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IGW15N120H3 описание продукта

Description:
Infineon’s high speed devices are used to reduce the size of the active components (25kHz --> 70kHz). Infineon’s HighSpeed 3 family provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses. Furthermore, up to 15% efficiency improvement can be achieved by implementing this technology in your design.
Summary of Features:
Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching at frequencies below 70kHz
Low switching losses for high efficiency
Excellent V ce(sat) behavior thanks to the famous Infineon TRENCHSTOP™ technology
Fast switching behavior with low EMI emissions
Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
Short circuit capability
Offering T j(max) of 175°C
Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
Benefits:
Excellent cost/performance
Low switching and conduction losses
Very good EMI behavior
A small gate resistor for reduced delay time and voltage overshoot
Smaller die sizes -> smaller packages
Best-in-class IGBT efficiency and EMI behavior

Показывать

IGW15N120H3 Даташит PDF

14 страницы, 2008 КБ

12/01/2014