H11F1M Купить - Fairchild Оптопара/ оптоизолятор

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

H11F1M

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR H11F1M Optocoupler, Transistor Output, 1Channel, DIP, 6Pins, 60mA, 7.5kV

Наличие: 6,360 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 168.54

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC11740668

Категория продукта:

Оптопара/ оптоизолятор

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

H11F1M характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	H11F1M
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC11740668
Категория продукта	Оптопара/ оптоизолятор
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	6 Pin
Корпус/Пакет	DIP-6
Выходное Напряжение	30.0 V
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	6 Position
Напряжение в Прямом Направлении	1.3 V
Входной Ток	60.0 mA
Рассеяние Мощности	0.3 W
Напряжение Изоляции	7500 Vpk
Прямой ток	60 mA
Выходное напряжение (Макс)	30 V
Входной ток (мин)	60 mA
Обратное напряжение пробоя	5 V
Максимальное прямое напряжение (Макс)	1.75 V
Прямой ток (макс)	60 mA
Рабочая температура (Макс)	100 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	300 mW
Высота	3.53 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 100℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

H11F1M описание продукта

The H11F1M is a H11FXM series Bilateral Analog FET Output Optocoupler consists of a Gallium-Aluminum-Arsenide IRED emitting diode coupled to a symmetrical bilateral silicon photo-detector. The detector is electrically isolated from the input and performs like an ideal isolated FET designed for distortion-free control of low level AC and DC analog signals.
=300MR (As a remote variable resistor)
* >=100GR I/O isolation resistance (As a remote variable resistor)
Extremely low offset voltage (as an analog switch)
60Vpk-pk signal capability (As an analog switch)
No charge injection or latch-up (As an analog switch)

Показывать

H11F1M Даташит PDF

14 страницы, 415 КБ