FQD1N80TM Купить - Fairchild Высоковольтное MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FQD1N80TM

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD1N80TM Power MOSFET, N Channel, 1A, 800V, 15.5Ω, 10V, 5V

Наличие: 39,532 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 38.34

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC12757489

Категория продукта:

Высоковольтное MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 12.06.2024, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FQD1N80TM характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FQD1N80TM
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC12757489
Категория продукта	Высоковольтное MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-252-3
Номинальное Напряжение (DC)	800 V
Номинальный Ток	1.00 A
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	15.5 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	45 W
Пороговое Напряжение	5 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	800 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	800 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	1.00 mA
Время Нарастания	25 ns
Входная емкость (Ciss)	195pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	2.5 W
Время падения	25 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2.5W (Ta), 45W (Tc)
Длина	6.6 mm
Ширина	6.1 mm
Высота	2.3 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FQD1N80TM описание продукта

The FQD1N80TM is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
Low gate charge (5.5nC)
Low Crss (2.7pF)
100% avalanche tested

Показывать

FQD1N80TM Даташит PDF

9 страницы, 1271 КБ

02/04/2014

просматривать

FQD1N80TM Другие Даташит

18 страницы, 967 КБ

04/01/2016

просматривать

FQD1N80TM Файл уведомления

7 страницы, 900 КБ

04/01/2016

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2024/06/12 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.6764LO44292V16Q0QC0S0