FQD1N60CTM Купить - Fairchild Высоковольтное MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FQD1N60CTM

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD1N60CTM Power MOSFET, N Channel, 1A, 600V, 9.3Ω, 10V, 2V

Наличие: 19,993 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 34.49

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC72008606

Категория продукта:

Высоковольтное MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FQD1N60CTM характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FQD1N60CTM
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC72008606
Категория продукта	Высоковольтное MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-252-3
Номинальное Напряжение (DC)	600 V
Номинальный Ток	1.00 A
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	9.3 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	28 W
Пороговое Напряжение	2 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	600 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	600 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	1.00 A
Время Нарастания	21 ns
Входная емкость (Ciss)	170pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	2.5 W
Время падения	27 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2.5W (Ta), 28W (Tc)
Длина	6.6 mm
Ширина	6.1 mm
Высота	2.3 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FQD1N60CTM описание продукта

The FQD1N60CTM is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
Low gate charge (4.8nC)
Low Crss (3.5pF)
100% avalanche tested

Показывать

FQD1N60CTM Даташит PDF

9 страницы, 553 КБ

11/05/2013