FDS8858CZ Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDS8858CZ

Fairchild

Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8Pin SOIC N T/R

Наличие: 4,253 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 46.25

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC56139423

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDS8858CZ характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDS8858CZ
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC56139423
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	17 mΩ
Полярность	N-Channel, P-Channel
Рассеяние Мощности	2 W
Пороговое Напряжение	1.6 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	8.60 A
Входная емкость (Ciss)	1205pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	900 mW
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1.6 W
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDS8858CZ описание продукта

The FDS8858CZ is a 30V Dual N-channel and P-channel PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild"s the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
High performance trench technology for extremely low RDS (on)
High power and current handling capability

Показывать

FDS8858CZ Даташит PDF

10 страницы, 345 КБ

07/28/2006