FDS6675BZ Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDS6675BZ

Fairchild

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8Pin SOIC T/R

Наличие: 10,535 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 37.63

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC10050708

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDS6675BZ характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDS6675BZ
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC10050708
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.0108 Ω
Полярность	P-Channel
Рассеяние Мощности	2.5 W
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	30 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±25.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	11.0 mA
Время Нарастания	7.8 ns
Входная емкость (Ciss)	2470pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	1 W
Время падения	60 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2.5W (Ta)
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDS6675BZ описание продукта

The FDS6675BZ is a -30V P-channel PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild"s the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
Extended VGSS range (-25V) for battery applications
HBM ESD protection level of ±5.4kV typical
High performance trench technology for extremely low RDS (on)
High power and current handling capability
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

Показывать

FDS6675BZ Даташит PDF

6 страницы, 506 КБ

04/20/2001