FDG8850NZ Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDG8850NZ

Fairchild

Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6Pin SC-70 T/R

Наличие: 5,734 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 19.39

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC13448100

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 31.10.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDG8850NZ характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDG8850NZ
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC13448100
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	6 Pin
Корпус/Пакет	SC-70-6
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	6 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.25 Ω
Полярность	Dual N-Channel
Рассеяние Мощности	360 mW
Пороговое Напряжение	1 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	30 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	750 mA
Время Нарастания	1 ns
Входная емкость (Ciss)	120pF @10V(Vds)
Максимальная входная мощность	300 mW
Время падения	1 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	360 mW
Длина	2 mm
Ширина	1.25 mm
Высота	1 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDG8850NZ описание продукта

The FDG8850NZ is a dual N-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
Very small package outline
Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <1.5V)
±12V Gate to source voltage
0.75A Continuous drain current
2.2A Pulsed drain current

Показывать

FDG8850NZ Даташит PDF

5 страницы, 328 КБ

02/15/2007