FDC5614P Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDC5614P

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC5614P MOSFET Transistor, P Channel, 3A, -60V, 0.082Ω, -10V, -1.6V

Наличие: 19,059 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 33.71

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC7128161

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDC5614P характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDC5614P
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC7128161
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	6 Pin
Корпус/Пакет	TSOT-23-6
Номинальное Напряжение (DC)	-60.0 V
Номинальный Ток	-3.00 A
Номинальная Мощность	1.6 W
Количество Стежков	6 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.082 Ω
Полярность	P-Channel
Рассеяние Мощности	1.6 W
Входная Ёмкость	759 pF
Заряд Затвора	15.0 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	60 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	-60.0 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±20.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	3.00 A
Время Нарастания	10 ns
Входная емкость (Ciss)	759pF @30V(Vds)
Максимальная входная мощность	800 mW
Время падения	12 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1.6W (Ta)
Длина	3 mm
Ширина	1.7 mm
Высота	1 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDC5614P описание продукта

The FDC5614P is a -60V P-channel logic level PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild"s the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.
Low gate charge
High performance trench technology for extremely low RDS (on)

Показывать

FDC5614P Даташит PDF

5 страницы, 141 КБ

02/04/2002