FDB44N25TM Купить - Fairchild Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FDB44N25TM

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB44N25TM MOSFET Transistor, N Channel, 44A, 250V, 0.058Ω, 10V, 5V

Наличие: 1,015 шт.

Адрес доставки:

Цена: ₽ 174.74

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC13466170

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 11.06.2024, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FDB44N25TM характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FDB44N25TM
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC13466170
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	2 Pin
Корпус/Пакет	TO-263-3
Номинальное Напряжение (DC)	250 V
Номинальный Ток	44.0 A
Номинальная Мощность	307 W
Количество Стежков	2 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.058 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	307 W
Пороговое Напряжение	5 V
Входная Ёмкость	2.87 nF
Заряд Затвора	61.0 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	250 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	250 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	44.0 A
Время Нарастания	400 ns
Входная емкость (Ciss)	2870pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	307 W
Время падения	115 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	307 W
Длина	10.67 mm
Ширина	11.33 mm
Высота	4.83 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

FDB44N25TM описание продукта

The FDB44N25TM is an UniFET™ N-channel High Voltage MOSFET produced based on Fairchild Semiconductor"s planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance, better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power and ATX.
100% Avalanche tested
47nC Typical low gate charge
60pF Typical low Crss

Показывать

FDB44N25TM Даташит PDF

14 страницы, 294 КБ

02/06/2013

просматривать

FDB44N25TM Другие Даташит

18 страницы, 967 КБ

04/01/2016

просматривать

FDB44N25TM Чертежные схемы

1 страницы, 73 КБ

03/25/2016

просматривать

FDB44N25TM Файл уведомления

7 страницы, 900 КБ

04/01/2016

просматривать

FDB44N25TM Другие ссылки

1 страницы, 147 КБ

06/15/2011

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2024/06/11 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.97784LO55959V12Q0QC0S0