FCP190N65S3 Купить - ON Semiconductor

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

FCP190N65S3

ON Semiconductor

N-Channel super FET III MOSFET

Наличие: 108 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 158.35

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ON Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC112460703

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

FCP190N65S3 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	FCP190N65S3
Производитель	ON Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC112460703
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.159 Ω
Рассеяние Мощности	144 W
Пороговое Напряжение	4.5 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	650 V
Время Нарастания	22 ns
Входная емкость (Ciss)	1350pF @10V(Vds)
Время падения	16 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	144000 mW
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	Compliant with Exemption
Бессвинцовая Статус	Lead Free
	Показывать Просмотр аналоги замена

FCP190N65S3 описание продукта

SuperFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SuperFET III MOSFET is very suitable for various power system for miniaturization and higher efficiency.
Features | | Benefits
---|---|---
| | | | |
700 V @ TJ = 150 oC
| |
Higher system reliability at low temperature operation
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 33 nC)
| |
Lower switching loss
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 300 pF)
| |
Lower switching loss
Optimized Capacitance
| |
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Internal Gate resistance: 7.0 ohm
| |
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Typ. RDS(on) = 159 mΩ
| |
100% Avalanche Tested
| |
RoHS Compliant
| |

Показывать

FCP190N65S3 Даташит PDF

3 страницы, 726 КБ

07/30/2019