DS1220AB-150+ Купить - Maxim Integrated Флеш-память

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

DS1220AB-150+

Maxim Integrated

Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 150ns, CMOS, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24

Наличие: 224 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки:

Цена: ₽ 786.93

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Maxim Integrated

ЧипСити Номер продукта:

CC49492551

Категория продукта:

Флеш-память

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.05.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

DS1220AB-150+ характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	DS1220AB-150+
Производитель	Maxim Integrated
ЧипСити Номер продукта	CC49492551
Жизненный Цикл Продукта	В производстве
Категория продукта	Флеш-память
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	24 Pin
Корпус/Пакет	EDIP-24
Напряжение Питания (DC)	5.00 V, 5.25 V (max)
Количество Стежков	24 Position
Тактовая Частота	150 GHz
Время Доступа	150 ns
Размер памяти	2000 B
Рабочая температура (Макс)	70 ℃
Рабочая температура (мин)	0 ℃
Напряжение питания	4.75V ~ 5.25V
Напряжение питания (Макс)	5.25 V
Напряжение питания (мин)	4.75 V
Длина	34.04 mm
Ширина	18.29 mm
Высота	9.4 mm
Рабочая Температура	0℃ ~ 70℃ (TA)
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

DS1220AB-150+ описание продукта

The DS1220AB-150+ is a 16K non-volatile SRAM in 24 pin EDIP package. This 16,384bit fully static non-volatile SRAM is organized as 2048 words by 8 bits. It has self contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out of tolerance condition. During such condition occurs, the lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to prevent data corruption. Lithium energy source is electrically disconnected to retain freshness until power is applied for the first time. The NV SRAM can be used in place of existing 2K x 8 SRAMs directly conforming to popular bytewide 24 pin DIP package. The device also matches the pin-out of 2716 EPROM and 2816 EEPROM allowing direct substitution while enhancing performance. There is no limit on number of write cycles that can be executed and additional support circuitry is not required for microprocessor interfacing.
Supply voltage range from 4.75V to 5.25V
Operating temperature range from 0°C to 70°C
10 years minimum data retention in absence of external power
Data is automatically protected during power loss
Low power CMOS technology
Read and write access time of 150ns
Write protection voltage of 4.62V
5pF input/output capacitance

Показывать

DS1220AB-150+ Даташит PDF

8 страницы, 196 КБ

10/21/2010