BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | 2N5401G | |
| Производитель | ON Semiconductor | |
| ЧипСити Номер продукта | CC66938175 | |
| Категория продукта | Двухполюсный плоскостной транзистор | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Through Hole | |
| Количество Выводов | 3 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-226-3 | |
| Частота | 100 MHz | |
| Номинальное Напряжение (DC) | -150 V | |
| Номинальный Ток | -600 mA | |
| Количество Стежков | 3 Position | |
| Полярность | PNP, P-Channel | |
| Рассеяние Мощности | 625 mW | |
| Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 150 V | |
| Тепловое Сопротивление | 83.3℃/W (RθJC) | |
| Непрерывный ток коллектора | 0.6A | |
| hFE Min | 60 @10mA, 5V | |
| Максимальная входная мощность | 625 mW | |
| Усиление постоянного тока (hFE) | 100 | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 625 mW | |
| Длина | 5.2 mm | |
| Ширина | 4.19 mm | |
| Высота | 5.33 mm | |
| Материал | Silicon | |
| Рабочая Температура | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Упаковка | Box | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| REACH SVHC Комплаенс | No SVHC | |
| REACH SVHC Compliance Edition | 2015/12/17 | |
| ECCN кодекс | EAR99 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн
