2ED020I12-FI Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

2ED020I12-FI

Infineon

Infineon 2ED020I12-FI, Dual MOSFET Power Driver, -1A Half Bridge, 14 → 18V, 18Pin SOIC

Наличие: 295 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки:

Цена: ₽ 299.45

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC10120208

Категория продукта:

Драйвер FET

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 28.04.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

2ED020I12-FI характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	2ED020I12-FI
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC10120208
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	18 Pin
Корпус/Пакет	PG-DSO-18
Напряжение Питания (DC)	14.0V (min)
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	14.18 V
Выходной Ток	1 A
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	18 Position
Время Нарастания	20 ns
Время падения (Макс)	35 ns
Время падения (Макс)	40 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Напряжение питания	14.18 V
Напряжение питания (Макс)	18 V
Напряжение питания (мин)	14 V
Длина	12.8 mm
Ширина	7.6 mm
Высота	2.45 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 125℃
Упаковка	Cut Tape (CT)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

2ED020I12-FI описание продукта

The 2ED020I12-FI is a 2-channel high voltage high speed power MOSPET and IGBT Driver with CT technology and interlocking high and low-side referenced outputs. The floating high-side driver may be supplied directly or by means of a bootstrap diode and capacitor. In addition to the logic input of each driver is equipped with a dedicated shutdown input. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. This driver is designed to drive an N-channel power IGBT which operate up to 1.2kV.
Matched propagation delay
High DV/DT immunity
Low power consumption
Floating high side driver
Under-voltage lockout
3.3 and 5V TTL compatible inputs
CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
Non-inverting inputs
Interlocking inputs
Dedicated shutdown input with pull-up

Показывать

2ED020I12-FI Даташит PDF

22 страницы, 686 КБ

10/15/1999