IKP20N60T Купить - Infineon Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IKP20N60T

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Наличие: 5,840 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 130.13

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC15259804

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IKP20N60T характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IKP20N60T
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC15259804
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальная Мощность	166 W
Количество Стежков	3 Position
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	166 W
Время Нарастания	14 ns
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	600 V
Обратное время восстановления	41 ns
Максимальная входная мощность	166 W
Время падения	42 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Длина	10 mm
Ширина	4.4 mm
Высота	9.25 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 175℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IKP20N60T описание продукта

The IKP20N60T is a 600V Discrete IGBT with very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode. TRENCHSTOP™ IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses. Discrete IGBT is ideal for hard switching applications as well as soft switching applications and other resonant applications.
Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
Low switching losses
Easy to parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
High ruggedness, temperature stable behaviour
Low EMI emissions
Low gate charge
Very tight parameter distribution
Highest efficiency
Low conduction and switching losses

Показывать

IKP20N60T Даташит PDF

13 страницы, 500 КБ

05/26/2015