UCC27611DRVT Купить - TI Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

UCC27611DRVT

MOSFET DRVR 8A 2Out High Speed Inv/Non-Inv 6Pin WSON EP T/R

Наличие: 531 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 79.96

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ЧипСити Номер продукта:

CC2570700

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

UCC27611DRVT характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	UCC27611DRVT
Производитель	TI
ЧипСити Номер продукта	CC2570700
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	6 Pin
Корпус/Пакет	WSON-6
Напряжение Питания (DC)	4.00V (min)
Время Нарастания/Спада	5 ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Количество Стежков	6 Position
Время Нарастания	5 ns
Время падения	5 ns
Время падения (Макс)	5 ns
Время падения (Макс)	5 ns
Рабочая температура (Макс)	140 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Напряжение питания	4V ~ 18V
Напряжение питания (Макс)	18 V
Напряжение питания (мин)	4 V
Длина	2.1 mm
Ширина	2.1 mm
Высота	0.75 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 140℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

UCC27611DRVT описание продукта

The UCC27611DRVT is a single-channel high-speed Gate Driver optimized for 5V drive, specifically addressing enhancement mode GaN FETs. The drive voltage VREF is precisely controlled by internal linear regulator to 5V. It offers asymmetrical rail-to-rail peak current drive capability with 4A source and 6A sink. Split output configuration allows individual turn-ON and turnoff time optimization depending on FET. Additionally, the short propagation delay with minimized tolerances and variations allows efficient operation at high frequencies. The 1 and 0.35R resistance boosts immunity to hard switching with high slew rate dV and dt. The independence from VDD input signal thresholds ensure TTL and CMOS low-voltage logic compatibility. For safety reason, when the input pins are in a floating condition, the internal input pull-up and pull down resistors hold the output low.
Enhancement mode gallium nitride FETs (eGANFETs)
Drive voltage VREF regulated to 5V
Split output configuration (allows turn-ON and turnoff optimization for individual FETs)
TTL and CMOS compatible inputs
Dual-input design offering drive flexibility (both inverting and non-inverting configurations)
Output held low when inputs are floating
VDD under-voltage lockout (UVLO)
Optimized pin-out compatible with eGANFET footprint for easy layout
9ns and 5ns Typical fast rise and fall time

Показывать

UCC27611DRVT Даташит PDF

29 страницы, 1028 КБ

06/03/2016

просматривать

UCC27611DRVT Даташит PDF

22 страницы, 351 КБ

12/31/2015

просматривать

UCC27611DRVT Даташит PDF

28 страницы, 1251 КБ

09/26/2013

просматривать

UCC27611DRVT Справочное руководство пользователя

16 страницы, 2705 КБ

02/18/2013

просматривать

UCC27611DRVT Другие Даташит

26 страницы, 516 КБ

03/29/2018

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.96023LO39682V69Q0QC0S0