Москва
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| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | STO67N60DM6 | |
| Производитель | ST Microelectronics | |
| ЧипСити Номер продукта | CC5581041103 | |
| Даташит | Datasheet | |
| Корпус/Пакет | TOLL(HV) | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
| REACH 状态 | 非 REACH 产品 | |
| ECCN | EAR99 | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| 制造商 | STMicroelectronics | |
| 系列 | MDmesh™ DM6 | |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
| Product Status | 在售 | |
| FET 类型 | N 通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Tc） | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 59 毫欧 @ 23.75A，10V | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.75V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 72.5 nC @ 10 V | |
| Vgs（最大值） | ±25V | |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3400 pF @ 100 V | |
| FET 功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 供应商器件封装 | TOLL（HV） | |
| 封装/外壳 | 8-PowerSFN | |
| 基本产品编号 | STO67 | |
| RoHS Комплаенс | Y | |
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