STGP15H60DF Купить - ST Microelectronics Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

STGP15H60DF

ST Microelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Наличие: 255 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки:

Цена: ₽ 116.17

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC37042136

Категория продукта:

Транзистор IGBT

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 02.05.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

STGP15H60DF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	STGP15H60DF
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC37042136
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Рассеяние Мощности	115000 mW
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	600 V
Обратное время восстановления	103 ns
Максимальная входная мощность	115 W
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	115 W
Длина	10.4 mm
Ширина	4.6 mm
Высота	15.75 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	Compliant with Exemption
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

STGP15H60DF описание продукта

Minimize the current at your gate with the STGP15H60DF IGBT transistor from STMicroelectronics. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 115000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. It is made in a single configuration.

Показывать

STGP15H60DF Даташит PDF

23 страницы, 1861 КБ

02/21/2013

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/05/02 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.26148LO116314V1Q0QC0S0