SN74LVC1G32DBVR Купить - TI Логический чип

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

SN74LVC1G32DBVR

OR Gate 1Element 2IN CMOS 5Pin SOT-23 T/R

Наличие: 6,990 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 4.70

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ЧипСити Номер продукта:

CC187927

Категория продукта:

Логический чип

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

SN74LVC1G32DBVR характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	SN74LVC1G32DBVR
Производитель	TI
ЧипСити Номер продукта	CC187927
Категория продукта	Логический чип
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	5 Pin
Корпус/Пакет	SOT-23-5
Напряжение Питания (DC)	1.65V ~ 5.50V
Количество Выходных Интерфейсов	1 Output
Выходной Ток	32 mA
Количество Цепей	1 Circuit
Количество Стежков	5 Position
Количество Битов	1 Bit
Время Задержки Распространения	4.00 ns
Узлы Напряжения	5.00 V, 3.30 V, 2.50 V, 1.80 V
Количество Вентилей	1 Gate
Привод Выходного Тока	-1.00 mA
Количество входов	2 Input
Рабочая температура (Макс)	85 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Напряжение питания	1.65V ~ 5.5V
Напряжение питания (Макс)	5.5 V
Напряжение питания (мин)	1.65 V
Длина	2.9 mm
Ширина	1.6 mm
Высота	1.15 mm
Вес	0.0002526509668 kg
Рабочая Температура	-40℃ ~ 125℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
Лицензия HK STC	NLR
	Показывать Просмотр аналоги замена

SN74LVC1G32DBVR описание продукта

The SN74LVC1G32DBVR is a Single 2-input Positive-OR Gate, designed for 1.65 to 5.5V VCC operation. The SN74LVC1G32DBVR device performs the Boolean function Y = A + B or Y = A\ + B\ in positive logic. The CMOS device has high output drive while maintaining low static power dissipation over a broad VCC operating range. ESD protection exceeds JESD 22, 2000V human body model (A114-A), 200V machine model (A115-A) and 1000V charged-device model (C101).
Supports 5V VCC operation
Inputs accept voltages to 5.5V
Supports down translation to VCC
Maximum TPD of 3.6ns at 3.3V
Low power consumption, 10µA maximum ICC
±24mA Output drive at 3.3V
Ioff supports live insertion, partial-power-down mode and back-drive protection
Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78, class II
Green product and no Sb/Br
Device has limited built-in ESD protection. The leads should be shorted together or the device placed in conductive foam during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.

Показывать

SN74LVC1G32DBVR Даташит PDF

38 страницы, 1644 КБ

12/06/2015