L6571BD Купить - ST Microelectronics Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

L6571BD

ST Microelectronics

MOSFET DRVR 600V 0.275A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SO N

Наличие: 425 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 444.47

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC48968131

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

L6571BD характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	L6571BD
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC48968131
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	618 V
Ток Питания	25.0 mA
Количество Стежков	8 Position
Выходное напряжение (Макс)	618 V
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Напряжение питания	10V ~ 16.6V
Напряжение питания (Макс)	16.6 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.25 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 125℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Each
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

L6571BD описание продукта

The L6571BD is a high voltage Half-bridge Driver with built-in oscillator. The frequency of the oscillator can be programmed using external resistor and capacitor. The internal circuitry of the device allows it to be driven also by external logic signal. The output drivers are designed to drive external N-channel power MOSFET and IGBT. The internal logic assures a dead time to avoid cross-conduction of the power devices.
ESD protected
Under-voltage lockout with hysteresis
BCD offline technology
Programmable oscillator frequency
High voltage rail up to 600V
Driver current capability - 270mA sink and 170mA source
dV/dt immunity of up to ±50V/ns
0.72µs Dead time
150mA Very low start up current
15.6V Zener clamp on VS

Показывать

L6571BD Даташит PDF

12 страницы, 227 КБ

10/20/2005

просматривать

L6571BD Даташит PDF

12 страницы, 229 КБ

10/20/2005

8 страницы, 130 КБ

8 страницы, 238 КБ

09/20/2000

просматривать

L6571BD Даташит PDF

1 страницы, 736 КБ

05/08/2006

просматривать

L6571BD Даташит PDF

12 страницы, 232 КБ

03/28/2012

просматривать

L6571BD Файл уведомления

50 страницы, 1602 КБ

07/24/2012

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/06/17 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H3.01901LO93132V128Q0QC0S0