BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | J112G | |
| Производитель | ON Semiconductor | |
| ЧипСити Номер продукта | CC15086088 | |
| Категория продукта | Транзистор JFET | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Through Hole | |
| Количество Выводов | 3 Pin | |
| Корпус/Пакет | TO-226-3 | |
| Номинальное Напряжение (DC) | 35.0 V | |
| Номинальный Ток | 50.0 mA | |
| Пробивное Напряжение | -35.0 V | |
| Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала) | 50 Ω | |
| Полярность | N-Channel | |
| Рассеяние Мощности | 350 mW | |
| Напряжение Сток-исток (Vds) | 35.0 V | |
| Пробивное Напряжение (Затвор-Исток) | 35.0 V | |
| Обратное напряжение пробоя | 35 V | |
| Максимальная входная мощность | 350 mW | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -65 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 350 mW | |
| Рабочая Температура | -65℃ ~ 150℃ (TJ) | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Упаковка | Bulk | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| ECCN кодекс | EAR99 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн
