IXFH12N100F Купить - IXYS Semiconductor Высоковольтное MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IXFH12N100F

IXYS Semiconductor

IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N100F Power MOSFET, N Channel, 12A, 1kV, 1.05Ω, 10V, 3V

Наличие: 772 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 1,059.48

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

IXYS Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC86650433

Категория продукта:

Высоковольтное MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 13.08.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IXFH12N100F характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IXFH12N100F
Производитель	IXYS Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC86650433
Категория продукта	Высоковольтное MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-3-3
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	1.05 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	300 W
Пороговое Напряжение	3 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	1 kV
Время Нарастания	9.8 ns
Входная емкость (Ciss)	2700pF @25V(Vds)
Время падения	12 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	300W (Tc)
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
	Показывать Просмотр аналоги замена

IXFH12N100F описание продукта

The IXFH12N100F is a 1000V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET designed for laser driver, induction heating, switch mode power supplies and switching industrial applications.
Double metal process for low gate resistance
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
Low inductance offers easy to drive and protect
Fast intrinsic rectifier
Space-saving s
High power density

Показывать

IXFH12N100F Даташит PDF

IXFH12N100F Другие Даташит

3 страницы, 104 КБ

10/29/2005

просматривать

IXFH12N100F Другие Даташит

2 страницы, 108 КБ

04/09/2009

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2025/08/13 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.60576LO59381V24Q0QC0S1