IRS2106SPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRS2106SPBF

Infineon

600V High and Low Side Driver IC with typical 0.29A source and 0.6A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP, 14 Lead SOIC, and 14 Lead PDIP.

Наличие: 1,212 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 139.02

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC5757334

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRS2106SPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRS2106SPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC5757334
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Напряжение Питания (DC)	10.0V (min)
Номинальная Мощность	625 mW
Время Нарастания/Спада	100ns, 35ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	600 V
Выходной Ток	290 mA
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	625 mW
Время Нарастания	220 ns
Время падения	80 ns
Время падения (Макс)	80 ns
Время падения (Макс)	220 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	625 mW
Напряжение питания	10V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRS2106SPBF описание продукта

The IRS2106SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low Side Driver with independent high- and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
Floating channel designed for bootstrap operation
Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
Under-voltage lockout for both channels
3.3, 5 and 15V Input logic compatible
Matched propagation delay for both channels
Logic and power ground ±5V offset
Lower di/dt gate driver for better noise immunity
Outputs in phase with inputs

Показывать

IRS2106SPBF Даташит PDF

25 страницы, 1445 КБ

05/04/2006