IRGP4650DPBF Купить - Infineon Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRGP4650DPBF

Infineon

Trans IGBT Chip N-CH 600V 76A 268000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

Наличие: 269 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 261.04

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC10603430

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRGP4650DPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRGP4650DPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC10603430
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальная Мощность	268 W
Количество Стежков	3 Position
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	268 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	600 V
Обратное время восстановления	120 ns
Максимальная входная мощность	268 W
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	268 W
Длина	15.87 mm
Ширина	5.31 mm
Высота	20.7 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRGP4650DPBF описание продукта

The IRGP4650DPBF is a 600V Ultrafast copack IGBT with soft recovery diode. Hard switching process optimized for high operating frequency. Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3. HEXFRED diodes optimized for performance and used in bridge configurations.
5µs Short circuit capability
High efficiency in a wide range of applications and switching frequencies
Low VCE (on) non punch through IGBT technology
Square RBSOA
Positive VCE (on) temperature coefficient
Excellent current sharing in parallel operation
Improved reliability due to rugged hard switching performance and higher power capability
Enables short circuit protection scheme

Показывать

IRGP4650DPBF Даташит PDF

12 страницы, 332 КБ

11/17/2014