IRFU5305PBF Купить - International Rectifier Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRFU5305PBF

International Rectifier

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -55V; RDS(ON) 0.065Ω; ID -31A; I-Pak (TO-251AA); PD 110W

Наличие: 2,363 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки:

Цена: ₽ 67.45

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

International Rectifier

ЧипСити Номер продукта:

CC91626216

Категория продукта:

Труба MOS

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.05.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

IRFU5305PBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRFU5305PBF
Производитель	International Rectifier
ЧипСити Номер продукта	CC91626216
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-251-3
Номинальное Напряжение (DC)	-55.0 V
Номинальный Ток	-28.0 A
Количество Каналов	1 Channel
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.065 Ω
Полярность	P-Channel
Рассеяние Мощности	110 W
Серия Деталей	IRFU5305
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	55 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	-55.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	-31.0 A
Время Нарастания	66.0 ns
Входная емкость (Ciss)	1200pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	110 W
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Длина	17.09 mm
Высота	6.73 mm
Длина Вывода	9.65 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

IRFU5305PBF описание продукта

**P-Channel Power MOSFET over 8A, Infineon**
Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Показывать

IRFU5305PBF Даташит PDF

11 страницы, 245 КБ

12/13/2004

просматривать

IRFU5305PBF Даташит PDF

11 страницы, 162 КБ

10/23/2000

просматривать

IRFU5305PBF Даташит PDF

12 страницы, 246 КБ

05/15/2016

просматривать

IRFU5305PBF Даташит PDF

3 страницы, 308 КБ

просматривать

IRFU5305PBF Другие Даташит

4 страницы, 220 КБ

02/02/2015

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/05/01 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.16915LO0V1Q0QC0S0