IRFR120NTRPBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRFR120NTRPBF

Infineon

DPAK N-CH 100V 9.4A

Наличие: 18,623 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 12.80

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC1607363

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 02.08.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRFR120NTRPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRFR120NTRPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC1607363
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-252-3
Номинальная Мощность	39 W
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.21 Ω
Полярность	N-CH
Рассеяние Мощности	48 W
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	100 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	100 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	9.4A
Время Нарастания	23 ns
Входная емкость (Ciss)	330pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	48 W
Время падения	23 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	48W (Tc)
Длина	6.5 mm
Ширина	6.22 mm
Высота	2.3 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRFR120NTRPBF описание продукта

The IRFR120NTRPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level of 1.5W is possible in a typical surface-mount application.
Advanced process technology
Fully avalanche rating
Low static drain-to-source ON-resistance
Dynamic dV/dt rating

Показывать

IRFR120NTRPBF Даташит PDF

11 страницы, 391 КБ

12/09/2004