IRFB3607PBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRFB3607PBF

Infineon

TO-220AB N-CH 75V 80A

Наличие: 2,283 шт.

Адрес доставки:

Цена: ₽ 70.30

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC889967

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 15.05.2024, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRFB3607PBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRFB3607PBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC889967
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальная Мощность	140 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.00734 Ω
Полярность	N-CH
Рассеяние Мощности	140 W
Пороговое Напряжение	4 V
Входная Ёмкость	3070 pF
Напряжение Сток-исток (Vds)	75 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	80A
Время Нарастания	110 ns
Входная емкость (Ciss)	3070pF @50V(Vds)
Максимальная входная мощность	140 W
Время падения	96 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	140W (Tc)
Длина	10.66 mm
Ширина	4.82 mm
Высота	9.02 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	Compliant with Exemption
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRFB3607PBF описание продукта

The IRFB3607PBF is a 75V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
Fully characterized capacitance and avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

Показывать

IRFB3607PBF Даташит PDF

11 страницы, 322 КБ

01/20/2012

просматривать

IRFB3607PBF Справочное руководство пользователя

270 страницы, 11877 КБ

11/08/2017

просматривать

IRFB3607PBF Другие Даташит

30 страницы, 664 КБ

просматривать

IRFB3607PBF Чертежные схемы

2 страницы, 176 КБ

08/19/2015

просматривать

IRFB3607PBF Примечание по применению

37 страницы, 2068 КБ

01/09/2017

просматривать

IRFB3607PBF Файл уведомления

3 страницы, 101 КБ

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2024/05/15 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H10.976LO4134V16Q0QC0S0