IRF7413TRPBF Купить - Infineon Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IRF7413TRPBF

Infineon

SOIC N-CH 30V 13A

Наличие: 28 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 15.68

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC1854350

Категория продукта:

Труба MOS

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IRF7413TRPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IRF7413TRPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC1854350
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Номинальная Мощность	2.5 W
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.011 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	2.5 W
Пороговое Напряжение	3 V
Входная Ёмкость	1800 pF
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	13A
Время Нарастания	50 ns
Входная емкость (Ciss)	1800pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	2.5 W
Время падения	46 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2.5W (Ta)
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
	Показывать Просмотр аналоги замена

IRF7413TRPBF описание продукта

The IRF7413TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in battery and load management application. The IRF7413PBF is a fifth generation single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. It has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications.
Generation V technology
Ultra-low ON-resistance
Dynamic dV/dt rating
Fast switching
100% Rg tested
Low switching losses
Low conduction losses

Показывать

IRF7413TRPBF Даташит PDF

9 страницы, 259 КБ

02/11/2008