IR2113STRPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IR2113STRPBF

Infineon

MOSFET DRVR 600V 2.5A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 16Pin SOIC W T/R

Наличие: 259,242 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 51.74

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC711193

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IR2113STRPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR2113STRPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC711193
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	16 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-16
Рабочее Напряжение	10V ~ 20V
Номинальная Мощность	1.25 W
Время Нарастания/Спада	25ns, 17ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	620 V
Выходной Ток	2.5 A
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	16 Position
Рассеяние Мощности	1250 mW
Ток Покоя	340 µA
Время Нарастания	35 ns
Время падения	25 ns
Время падения (Макс)	25 ns
Время падения (Макс)	35 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1250 mW
Напряжение питания	3.3V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	10.5 mm
Ширина	7.6 mm
Высота	2.35 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IR2113STRPBF описание продукта

The IR2113STRPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low-side Driver with independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 500 or 600V.
Floating channel designed for bootstrap operation
Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
Under-voltage lockout for both channels
CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
Cycle by cycle edge-triggered shutdown logic
Matched propagation delay for both channels
Outputs in phase with inputs

Показывать

IR2113STRPBF Даташит PDF

18 страницы, 329 КБ

03/24/2005