IR2101PBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IR2101PBF

Infineon

MOSFET DRVR 600V 0.36A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin PDIP

Наличие: 8,843 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 137.18

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC2186803

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IR2101PBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR2101PBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC2186803
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	PDIP-8
Напряжение Питания (DC)	10.0V (min)
Рабочее Напряжение	10V ~ 20V
Номинальная Мощность	1 W
Время Нарастания/Спада	100ns, 50ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	620 V
Выходной Ток	210 mA
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	1000 mW
Ток Покоя	150 µA
Время Нарастания	100 ns
Время падения	50 ns
Время падения (Макс)	90 ns
Время падения (Макс)	170 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1000 mW
Напряжение питания	10V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	10.92 mm
Ширина	7.11 mm
Высота	5.33 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 125℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IR2101PBF описание продукта

The IR2101PBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output and down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive a N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
DV/DT Immune
Under-voltage lockout
Matched propagation delay for both channels
Outputs in phase with inputs

Показывать

IR2101PBF Даташит PDF

14 страницы, 139 КБ

04/14/2004