IR2010SPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IR2010SPBF

Infineon

MOSFET DRVR 200V 3A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 16Pin SOIC W Tube

Наличие: 8,365 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 167.29

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC7622400

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 18.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IR2010SPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR2010SPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC7622400
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	16 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-16
Рабочее Напряжение	10V ~ 20V
Время Нарастания/Спада	10ns, 15ns
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	220 V
Выходной Ток	3 A
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	16 Position
Рассеяние Мощности	1250 mW
Ток Покоя	100 µA
Время Нарастания	10 ns
Время падения	15 ns
Время падения (Макс)	25 ns
Время падения (Макс)	20 ns
Рабочая температура (Макс)	125 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1250 mW
Напряжение питания	10V ~ 20V
Напряжение питания (Макс)	20 V
Напряжение питания (мин)	10 V
Длина	10.5 mm
Ширина	7.6 mm
Высота	2.35 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 125℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IR2010SPBF описание продукта

The IR2010SPBF is a high power high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with independent high and low-side referenced output channels. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 200V. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction.
Floating channel designed for bootstrap operation
Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
Under-voltage lockout for both channels
3.3V Logic compatible
Logic and power ground ±5V offset
CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
Shut down input turns OFF both channels
Cross-conduction prevention logic
Matched propagation delay for both channels
Outputs in phase with inputs

Показывать

IR2010SPBF Даташит PDF

20 страницы, 2360 КБ

04/17/2015