IR1168SPBF Купить - Infineon Драйвер FET

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

IR1168SPBF

Infineon

Infineon IR1168SPBF, Dual MOSFET Power Driver 1A Half Bridge, 8.6 → 18V, 8Pin SOIC

Наличие: 645 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 209.30

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Infineon

ЧипСити Номер продукта:

CC12759233

Категория продукта:

Драйвер FET

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

IR1168SPBF характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	IR1168SPBF
Производитель	Infineon
ЧипСити Номер продукта	CC12759233
Категория продукта	Драйвер FET
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Напряжение Питания (DC)	8.60V (min)
Количество Выходных Интерфейсов	2 Output
Выходное Напряжение	10.7 V
Выходной Ток	1 A
Ток Питания	48 mA
Количество Стежков	8 Position
Рассеяние Мощности	970 mW
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Напряжение питания	8.6V ~ 18V
Напряжение питания (Макс)	18 V
Напряжение питания (мин)	8.6 V
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-25℃ ~ 125℃
Жизненный Цикл Продукта	Obsolete
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

IR1168SPBF описание продукта

The IR1168SPBF is a DUAL SmartRectifier™ secondary-side Rectifier Driver IC designed to drive two N-channel power MOSFETs used as synchronous rectifiers in resonant converter applications. The IC can control one or more paralleled N MOSFETs to emulate the behaviour of Schottky diode rectifiers. The drain to source for each rectifier MOSFET voltage is sensed differentially to determine the level of the current and the power switch is turned ON and OFF in close proximity of the zero current transition. Ruggedness and noise immunity are accomplished using an advanced blanking scheme and double-pulse suppression that allows reliable operation in fixed and variable frequency applications.
For synchronous rectification in resonant half bridge topologies
Anti-bounce logic and UVLO protection
Micropower start-up and ultra low quiescent current
70ns Turn-OFF propagation delay
Wide Vcc operating range
Direct sensing for both synchronous rectifiers
Minimal component count
Simple design

Показывать

IR1168SPBF Даташит PDF

22 страницы, 359 КБ

09/26/2011