HGTG30N60B3D Купить - Fairchild Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

HGTG30N60B3D

Fairchild

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Наличие: 1,128 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 373.14

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC11305896

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

HGTG30N60B3D характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	HGTG30N60B3D
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC11305896
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальное Напряжение (DC)	600 V
Номинальный Ток	60.0 A
Номинальная Мощность	208 W
Количество Стежков	3 Position
Рассеяние Мощности	208 W
Время Нарастания	25.0 ns
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	600 V
Обратное время восстановления	55 ns
Максимальная входная мощность	208 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	208000 mW
Высота	20.82 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Not Recommended for New Designs
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

HGTG30N60B3D описание продукта

The HGTG30N60B3D is a 600V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. The UFS series MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25° C and 150° C. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the RHRP3060. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential. Fairchild offers an extensive portfolio of IGBT devices by various process technologies from 300V to greater than 1200V. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.
90ns at TJ = 150°C Fall time
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

Показывать

HGTG30N60B3D Даташит PDF

8 страницы, 213 КБ