HGT1S10N120BNST Купить - Fairchild Транзистор IGBT

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

HGT1S10N120BNST

Fairchild

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGT1S10N120BNST IGBT Single Transistor, 35A, 2.45V, 298W, 1.2kV, TO-263AB, 3Pins

Наличие: 3,408 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 174.81

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

Fairchild

ЧипСити Номер продукта:

CC12912921

Категория продукта:

Транзистор IGBT

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

HGT1S10N120BNST характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	HGT1S10N120BNST
Производитель	Fairchild
ЧипСити Номер продукта	CC12912921
Категория продукта	Транзистор IGBT
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-263-3
Номинальное Напряжение (DC)	1.20 kV
Номинальный Ток	35.0 A
Количество Стежков	3 Position
Рассеяние Мощности	298 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	1200 V
Максимальная входная мощность	298 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	298 W
Длина	10.67 mm
Ширина	11.33 mm
Высота	4.83 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

HGT1S10N120BNST описание продукта

The HGT1S10N120BNST is a N-channel Non-punch Through (NPT) IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS and solar inverter. It is new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. It combines the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor.
Short-circuit rating
Avalanche rated
2.45V @ IC = 10A Low saturation voltage
140ns Fall time @ TJ = 150°C
298W Total power dissipation @ TC = 25°C

Показывать

HGT1S10N120BNST Даташит PDF

8 страницы, 197 КБ