DE475-102N21A Купить - IXYS Semiconductor Труба MOS

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

DE475-102N21A

IXYS Semiconductor

N-CH 1000V 24A

Наличие: 4,947 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 3,398.78

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

IXYS Semiconductor

ЧипСити Номер продукта:

CC16295564

Категория продукта:

Труба MOS

Дата доставки: 7 дней

3D модель

Оплата:

Обновлено 01.05.2026, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

DE475-102N21A характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	DE475-102N21A
Производитель	IXYS Semiconductor
ЧипСити Номер продукта	CC16295564
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Труба MOS
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	6 Pin
Корпус/Пакет	DE-475
Частота	30 MHz
Номинальная Мощность	1.8 kW
Количество Стежков	6 Position
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	1.8 kW
Напряжение Сток-исток (Vds)	1 kV
Непрерывный Ток Стока (Ids)	24.0 A
Время Нарастания	5.00 ns
Входная емкость (Ciss)	5500pF @800V(Vds)
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1800000 mW
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

DE475-102N21A описание продукта

The DE475-102N21A is a 1000V N-channel Enhancement Mode RF Power MOSFET with low RDS (on) ideal for laser driver, induction heating, switch mode power supplies and switching industrial applications.
High isolation voltage
Excellent thermal transfer
Increased temperature and power cycling capability
IXYS advanced low Qg process
Low gate charge and capacitances offer easier to drive and faster switching
Very low insertion inductance
No beryllium oxide (BeO) or other hazardous materials
Easy to mount, no insulators needed
High power density

Показывать

DE475-102N21A Даташит PDF

6 страницы, 143 КБ

просматривать

DE475-102N21A Другие Даташит

5 страницы, 287 КБ

08/26/2009

просматривать

DE475-102N21A Другие Даташит

5 страницы, 142 КБ

08/26/2009

просматривать

DE475-102N21A Другие Даташит

5 страницы, 142 КБ

08/26/2009

просматривать

DE475-102N21A Другие Даташит

4 страницы, 174 КБ

03/04/2003

просматривать

DE475-102N21A Другие Даташит

2 страницы, 126 КБ

04/21/2021

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/05/01 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H2.19567LO0V146Q4QC0S25