BFU610F,115 Купить - NXP Двухполюсный плоскостной транзистор

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

Проверка качества компонентов

Лаборатория тестирования электронных компонентов

500 м² CMA-аккредитованная лаборатория

15+ лет опыта в контроле качества

Защита от подделок по стандартам CMA

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

Глобальные поставки с
локальной надёжностью

Chipcity принимает
участие в выставке
EXPO ELECTRONICA 2027

13 – 15 АПРЕЛЯ 2027

Москва

BFU610F,115

NXP

Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4Pin(3+Tab) DFP T/R

Наличие: 0 шт. Гарантия оригинала

Адрес доставки:

Цена: Запросить цену

шт.

Купить

Цена действительна 24 часа

Высокий спрос на этой неделе

Производитель:

NXP

ЧипСити Номер продукта:

CC36748470

Категория продукта:

Двухполюсный плоскостной транзистор

Упаковка: SOT-343

Дата доставки: 7 дней

Оплата:

Обновлено 15.06.2026, 07:48:07(GMT+3)

Более 11 лет опыта в закупках

Сертифицированный поставщик (ISO)

1000+ клиентов в России

Поддержка малого MOQ

BFU610F,115 характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	BFU610F,115
Производитель	NXP
ЧипСити Номер продукта	CC36748470
Жизненный Цикл Продукта	Active
Категория продукта	Двухполюсный плоскостной транзистор
Даташит
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	4 Pin
Корпус/Пакет	SOT-343
Частота	15000 MHz
Количество Стежков	4 Position
Полярность	NPN
Рассеяние Мощности	136 mW
Входная Ёмкость	0.227 pF
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	5.5 V
Усиление	13.5dB ~ 23.5dB
hFE Min	90 @1mA, 2V
Максимальная входная мощность	136 mW
Усиление постоянного тока (hFE)	90
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	136 mW
Материал	Silicon
Рабочая Температура	150℃ (TJ)
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99
	Показывать Просмотр аналоги замена

Аналоги товара

BFU610F,115 описание продукта

NXP BFU610F NPN silicon microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.40 GHz fT silicon technology * High associated gain 12 dB at 5.8 GHz * Low noise high gain microwave transistor * Noise figure (NF) = 1.7 dB at 5.8 GHz

Показывать

BFU610F,115 Даташит PDF

BFU610F,115 Другие Даташит

12 страницы, 127 КБ

11/25/2010

просматривать

BFU610F,115 Другие Даташит

3 страницы, 134 КБ

12/23/2013

просматривать

BFU610F,115 Другие Даташит

2 страницы, 51 КБ

07/16/2013

просматривать

BFU610F,115 Другие Даташит

2 страницы, 373 КБ

просматривать

Поиск деталей онлайн

Обновлено 2026/06/15 07:34:36(GMT+3)

Мы поддерживаем денежные переводы из различных банков.Если у вас есть другие потребности в оплате, вы можете связаться с менеджером по продажам. Клиент несет ответственность за расходы по доставке.
- Вы можете выбрать, будет ли стоимость доставки взиматься через ваш счет доставки или нами.

- Пожалуйста, заранее уточните у логистической компании стоимость доставки в отдаленные районы.

- (За доставку в эти районы может взиматься дополнительная плата ($35-$50)).

- Срок доставки: обычно от 2 до 7 рабочих дней.

- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа.
- Тщательно проверено и упаковано на складе ChipCity

- Вакуумная упаковка

- Антистатическая упаковка

- Ударопрочный пенопласт
- Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.

- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.

- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.

- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.

- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция (PSI).
- Входной контроль качества (IQC), 1000+ квалифицированных дилеров.

- Чипы тестируются авторитетными организациями, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.

- Контроль декапсуляции

- Рентгеновский контроль

- рентгенографический контроль

- Электрическое тестирование

- тестирование поверхности

- Склад цифровых компонентов, занимающий площадь 800 квадратных метров, с постоянной температурой и влажностью

Узнать больше >

Рекомендуемые детали
Горячие детали
Популярные детали
Недавно популярные детали

SN:H1.79239LO0V1Q0QC0S0