Атрибут | Значение атрибута | |
---|---|---|
Номенклатура | BD435G | |
Производитель | ON Semiconductor | |
ЧипСити Номер продукта | CC13091561 | |
Категория продукта | Двухполюсный плоскостной транзистор | |
Даташит | Datasheet | |
3D модель | 3D модель | |
Стиль Монтажа | Through Hole | |
Количество Выводов | 3 Pin | |
Корпус/Пакет | TO-126-3 | |
Частота | 3 MHz | |
Номинальное Напряжение (DC) | 32.0 V | |
Номинальный Ток | 4.00 A | |
Полярность | NPN | |
Рассеяние Мощности | 36 W | |
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 32 V | |
Непрерывный ток коллектора | 4A | |
hFE Min | 85 @500mA, 1V | |
Максимальная входная мощность | 36 W | |
Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
Рассеиваемая Мощность (Макс) | 36000 mW | |
Ширина | 2.66 mm | |
Материал | Silicon | |
Рабочая Температура | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | |
Жизненный Цикл Продукта | Active | |
Упаковка | Bulk | |
RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
ECCN кодекс | EAR99 | |
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
Поиск деталей онлайн