BOM Цитировать
| Атрибут | Значение атрибута | |
|---|---|---|
| Номенклатура | APT50GP60J | |
| Производитель | Microsemi | |
| ЧипСити Номер продукта | CC81229488 | |
| Жизненный Цикл Продукта | Active | |
| Категория продукта | Транзистор IGBT | |
| Даташит | Datasheet | |
| 3D модель | 3D модель | |
| Стиль Монтажа | Screw | |
| Количество Выводов | 4 Pin | |
| Корпус/Пакет | SOT-227-4 | |
| Номинальное Напряжение (DC) | 600 V | |
| Номинальный Ток | 100 A | |
| Рассеяние Мощности | 329000 mW | |
| Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 600 V | |
| Входная емкость (Cies) | 5.7nF @25V | |
| Максимальная входная мощность | 329 W | |
| Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ | |
| Рабочая температура (мин) | -55 ℃ | |
| Рассеиваемая Мощность (Макс) | 329000 mW | |
| Рабочая Температура | -55℃ ~ 150℃ (TJ) | |
| Упаковка | Tube | |
| RoHS Комплаенс | RoHS Compliant | |
| Бессвинцовая Статус | Lead Free | |
| ECCN кодекс | EAR99 | |
|
Показывать
Просмотр аналоги замена
|
||
