2N2222A Купить - ST Microelectronics Двухполюсный плоскостной транзистор

Картинки только для справки.Точные характеристики следует получить из паспорта продукта.

2N2222A

ST Microelectronics

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40V, 300MHz, 0.5W(1/2W), 600mA, 300 hFE

Наличие: 1,542 шт.

Адрес доставки: Москва

Цена: ₽ 359.81

шт.

Купить

*Запросить предложение по оптовому количеству?

*Акции меняются очень быстро Контакты немедленно!

Производитель:

ST Microelectronics

ЧипСити Номер продукта:

CC40453589

Категория продукта:

Двухполюсный плоскостной транзистор

3D модель

Оплата:

Обновлено 17.06.2025, 07:48:07(GMT+3)

Проверка качества компонентов

тдел качества компонентов ЧипСити поддерживает вышеупомянутые многочисленные методы проверки, чтобы гарантировать качество компонентов. Узнать больше >

2N2222A характеристики

Атрибут	Значение атрибута
Номенклатура	2N2222A
Производитель	ST Microelectronics
ЧипСити Номер продукта	CC40453589
Категория продукта	Двухполюсный плоскостной транзистор
Даташит
3D модель	3D модель
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-18-3
Частота	250 MHz
Номинальное Напряжение (DC)	75.0 V
Номинальный Ток	600 mA
Номинальная Мощность	500 mW
Количество Стежков	3 Position
Полярность	NPN
Рассеяние Мощности	500 mW
Пробивное Напряжение (Коллектор-База)	75.0 V
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	40 V
hFE Min	100 @150mA, 10V
hFE Max	300
Максимальная входная мощность	500 mW
Усиление постоянного тока (hFE)	300
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	500 mW
Длина	5.8 mm
Ширина	5.8 mm
Высота	1.5 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Not Recommended for New Designs
Упаковка	Bulk
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2014/12/17
ECCN кодекс	EAR99
Лицензия HK STC	NLR
	Показывать Просмотр аналоги замена

2N2222A описание продукта

The 2N2222A from STMicroelectronics is a through hole NPN silicon planar epitaxial transistor in TO-18 package. This transistor designed as high speed switch which features low leakage currents, low saturation voltage and useful current gain over a wide range of collector current. Typically suitable for high speed switching application.
Collector to emitter voltage (Vce) is 40V
Collector current (Ic) is 0.6A
Power dissipation (Pd) is 1.8W
Collector to emitter saturation voltage of 1V at 500mA collector current
DC current gain (hFE) of 35 at 0.1mA collector current
Operating junction temperature range from 175°C

Показывать

2N2222A Даташит PDF

7 страницы, 167 КБ

04/08/2011